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LET-5000系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)具備寬電壓大電流測量能力,電壓可達(dá) 2200V ,電流可達(dá) 1000A,μΩ級導(dǎo)通電阻、nA級漏電流及高精度電容測量,確保參數(shù)獲取。兼容多種半導(dǎo)體器件,從常見的 MOSFET 到新型的 GaN、SiC 器件均能測試。還擁有快脈沖與亞 pA 級電流檢測能力,精確計時監(jiān)測控制,豐富測試功能與模塊化設(shè)計,可拓展溫控等功能。
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更新時間:2025/4/2 17:24:52關(guān)注度:515
關(guān)鍵詞標(biāo)簽:半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 高電壓大電流功率器件測試系統(tǒng) 功率器件參數(shù)測試系統(tǒng)
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LET-5000半導(dǎo)體測試系統(tǒng)是一款測量與分析功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器,為所有類型的功率半導(dǎo)體器件提供靜態(tài)參數(shù)測量解決方案。
LET-5000半導(dǎo)體測試系統(tǒng)能在2200V(可擴(kuò)展為8000V)和1000A (可擴(kuò)展為6000A)的條件下實(shí)現(xiàn)精確測量、分析功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)。
LET-5000具有快脈沖能力,并具有出眾的寬電壓和電流測量能力。
這些功能能夠?qū)?/span>新型的器件(例如 IGBT)和新型材料(例如 GaN 和 SiC)進(jìn)行測量,可以測試器件包括:MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多個獨(dú)立的高精度源組成,每個功率源模塊上配備兩個獨(dú)立的模數(shù)(AD)轉(zhuǎn)換器支持2?s采樣率,每個模塊上的驅(qū)動能夠獨(dú)立精確控制,對有可能影響器件特性的關(guān)鍵計時進(jìn)行精確監(jiān)測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量、nA 級漏電流測量能力等特點(diǎn),支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
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